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高電圧、高電流、高パルスアプリケーションで使用されるポリプロピレンスナバコンデンサ

簡単な説明:

アキシャルスナバコンデンサSMJ-TE

スナバコンデンサは、アキシャル端子を備えた高電流、高周波コンデンサです。アキシャルフィルムコンデンサはCREで入手できます。アキシャルフィルムコンデンサの在庫、価格、データシートを提供しています。

1. ISO9001およびUL認定。

2.豊富な在庫。

 


製品の詳細

商品タグ

技術データ

使用温度範囲 Max。動作温度。、Top、max:+ 85℃上限カテゴリ温度:+ 85℃下限カテゴリ温度:-40℃
静電容量範囲 0.1μF〜5.6μF
定格電圧

630V.DC〜2000V.DC

Cap.tol

±5%(J);±10%(K)

耐電圧

1.5Un DC / 10S

散逸係数

tgδ≤0.0005C≤1μFf = 10KHz

tgδ≤0.001C≥1μFf = 10KHz

絶縁抵抗

C≤0.33μFRS≥15000MΩ(20℃100V.DC 60Sで)

C>0.33μFRS * C≧5000S(20℃100V.DC 60Sにて)

ストライク電流に耐える

平均寿命

100000h(Un;Θhotspot≤85°C)

参照標準

IEC 61071、IEC 61881、GB / T17702

応用

1. IGBTスナバ、GTOスナバ

2.スナバの基本的な機能は、電源回路のリアクタンスからエネルギーを吸収することです。

3.ピーク電圧、ピーク電流吸収保護の場合、パワーエレクトロニクス機器で広く使用されています。

外形図

图片1

SMJ-TEアキシャルコンデンサ
電圧 Un630V.DC; Urms400Vac; Us 945V
静電容量(uF) L(mm±1) T(mm±1) H(mm±1) φd(mm) ESR @ 100KHz(mΩ) ESL(nH) dv / dt(V /μS) Ipk(A) Irms @ 25℃@ 100KHz(A)
0.22 32 9.5 17.5 0.8 16 23 300 66 5.3
0.33 32 12 20 1 13 22 200 66 6.5
0.47 32 14.5 22.5 1 11 21 220 103.4 8.3
0.68 32 18 26 1 10 20 180 122.4 9.5
1 37 11 19 1 8 28 150 150 7.6
1.5 37 13.5 21.5 1 7 27 150 225 9.5
2 37 16 24 1.2 6 24 130 260 10.2
2.5 37 18 26 1.2 5.5 25 120 300 10.5
3 37 20 28 1.2 5 30 110 330 10.8
3.3 37 21 29 1.2 4.5 30 110 363 11.2
4 57 27 36.5 1.2 4.2 32 220 880 12.8
4.7 57 28 40.5 1.2 3.8 32 200 940 13.8
5.6 57 31 33.5 1.2 3.5 32 185 1036 13.5
6.8 37 29 41.5 1.2 2.5 28 100 680 13.8
6.8 57 34 46.5 1.2 2.8 30 180 1224 14.2
電圧 Un 1000V.DC; Urms 500Vac; Us 1500V
静電容量(uF) L(mm±1) T(mm±1) H(mm±1) φd(mm) ESR @ 100KHz(mΩ) ESL(nH) dv / dt(V /μS) Ipk(A) Irms @ 25℃@ 100KHz(A)
0.15 32 10 17.5 0.8 20 20 1100 165 5.5
0.22 32 12 20 1 15 21 1000 220 7.3
0.33 32 15.5 23 1 13 21 1000 330 8.7
0.47 32 18.5 26 1.2 10 23 1000 470 10.5
0.47 44 14 22 1.2 9 24 900 423 9.5
0.68 32 20 32.5 1.2 7 25 900 612 10.8
0.68 44 17 25 1.2 6 26 800 544 10.2
1 44 21.5 29.5 1.2 5.6 27 900 900 11
1.5 44 26 35.5 1.2 5 29 900 1350 12
1.5 57 21 29 1.2 5 30 700 1050 12.2
2 44 28 40.5 1.2 4.8 30 800 1600 13.2
2 57 24 33.5 1.2 4.8 32 600 1200 12.8
2.2 44 30 42.5 1.2 4.2 32 600 1320 13.8
2.2 57 25 34.5 1.2 4.2 32 500 1100 13.5
2.5 57 25 38 1.2 4 33 500 1250 14.2
3 57 28 40.5 1.2 3.5 34 480 1440 15.6
3.3 57 29.5 42 1.2 3.2 35 450 1485 16.5
3.5 57 30.5 43 1.2 3.2 35 450 1575 17.2
4.7 57 35 50.5 1.2 3 36 420 1974 17.8
5.6 57 38.5 65 1.2 2.8 38 400 2240 18.2
電圧 Un 1200V.DC; Urms 550Vac; Us 1800V
静電容量(uF) L(mm±1) T(mm±1) H(mm±1) φd(mm) ESR @ 100KHz(mΩ) ESL(nH) dv / dt(V /μS) Ipk(A) Irms @ 25℃@ 100KHz(A)
0.1 32 8.5 16 0.8 20 20 1300 130 6
0.15 32 10 17.5 1 18 20 1200 180 7.5
0.22 32 13 21 1 15 22 1200 264 8.3
0.33 32 16 24 1 12 23 1200 396 9
0.47 32 17.5 30 1.2 10 23 1200 564 9.5
0.47 44 15 23 1.2 9 26 1100 517 9.8
0.68 32 21.5 34 1.2 8 25 1100 517 10
0.68 44 18.5 26.5 1.2 6 27 1000 680 11.7
1 44 23 31 1.2 5 28 1000 1000 12.4
1.5 44 26.5 39 1.2 5 30 950 1425 13.5
1.5 57 22.5 30.5 1.2 5 29 900 1350 12.6
2 44 29 45 1.2 5 30 800 1600 14.2
2 57 26.5 34.5 1.2 4.8 30 750 1500 13.8
2.2 44 31 47 1.2 4.2 32 800 1760 14.5
2.2 57 27.5 35.5 1.2 4.2 35 700 1540 14.5
3 57 29 44.5 1.2 3.2 37 500 1500 17.2
3.3 57 30.5 46 1.2 3.2 38 450 1485 17.8
4.7 57 38 53.5 1.2 3 38 420 1974 18.2
電圧 Un 1700V.DC; Urms 600Vac; Us 2550V
静電容量(uF) L(mm±1) T(mm±1) H(mm±1) φd(mm) ESR @ 100KHz(mΩ) ESL(nH) dv / dt(V /μS) Ipk(A) Irms @ 25℃@ 100KHz(A)
0.1 32 9.5 17.5 0.8 18 25 1300 130 7.5
0.15 32 12 20 1 16 24 1200 180 8.5
0.22 32 15 23 1 15 24 1200 264 9.3
0.33 32 18.5 26.5 1 12 22 1200 396 9.9
0.33 44 13.5 21.5 1.2 12 29 1100 363 10.2
0.47 44 16 24 1.2 9 28 1000 470 11.2
0.68 44 20 28 1.2 8 27 1000 680 11.7
1 44 24 33.5 1.2 5.6 26 900 900 12.4
1 57 19.5 27.5 1.2 6 33 850 850 10.8
1.5 44 28 40.5 1.2 4.8 25 800 1200 13.5
1.5 57 24 32 1.2 5 33 750 1125 13.5
2 44 31.5 47 1.2 4.5 24 750 1500 14.2
2 57 27.5 37 1.2 4.8 32 650 1300 12.8
2.2 44 33.5 49 1.2 4.5 34 700 1540 15.6
2.2 57 29 40 1.2 4.2 32 600 1320 14.5
3 57 31 46.5 1.2 4 30 560 1680 17.2
3.3 57 33 48.5 1.2 3.2 29 500 1650 17.6
4 57 37 52.5 1.2 3 28 450 1800 18.2
電圧 Un 2000V.DC; Urms 700Vac; Us 3000V
静電容量(uF) L(mm±1) T(mm±1) H(mm±1) φd(mm) ESR @ 100KHz(mΩ) ESL(nH) dv / dt(V /μS) Ipk(A) Irms @ 25℃@ 100KHz(A)
0.068 32 9 17 0.8 25 23 1500 102 6.9
0.1 32 11.5 19.5 1 18 22 1500 150 8.2
0.1 37 10.5 18.5 1 18 26 1450 145 8
0.22 32 17.5 25.5 1.2 15 21 1400 308 9.1
0.22 37 16 24 1.2 15 25 1300 286 9
0.33 37 20 28 1.2 12 24 1250 412.5 9.5
0.33 44 18 26 1.2 12 30 1200 396 10.2
0.47 44 19.5 32 1.2 10 29 1100 517 12.4
0.68 44 24 36.5 1.2 8 28 1000 680 14.2
0.68 57 18.5 31 1.2 8 27 900 612 14.2
1 57 23.5 36 1.2 6 31 950 950 14.5
1.5 57 29.5 42 1.2 5 31 850 1275 14.5
2 57 33 48.5 1.2 4.2 31 750 1500 16.5
2.2 57 35 50.5 1.2 4 30 700 1540 17.8
電圧 Un 3000V.DC; Urms 750Vac; Us 4500V
静電容量(uF) L(mm±1) T(mm±1) H(mm±1) φd(mm) ESR @ 100KHz(mΩ) ESL(nH) dv / dt(V /μS) Ipk(A) Irms @ 25℃@ 100KHz(A)
0.047 44 13.5 21.5 1 22 20 2000 94 8.5
0.068 44 17 25 1 20 20 1800 122.4 10.5
0.1 44 20.5 28.5 1.2 18 20 1500 150 12.4
0.15 44 26 34 1.2 16 22 1350 202.5 13.8
0.22 44 29 41.5 1.2 14.5 22 1200 264 14.5

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