高電圧、大電流、高パルス用途に使用されるポリプロピレンスナバコンデンサ

簡単な説明：

アキシャルスナバコンデンサ SMJ-TE

スナバコンデンサは、軸端子を備えた大電流、高周波コンデンサです。アキシャルフィルムコンデンサは CRE で入手できます。アキシャルフィルムコンデンサの在庫、価格、データシートを提供します。

1. ISO9001およびUL認定;

2.豊富な在庫。

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製品の詳細

製品タグ

技術データ

使用温度範囲	最高使用温度、最高、最高: + 85℃ 上位カテゴリー温度: +85℃ 下位カテゴリー温度: -40℃
静電容量範囲	0.1μF～5.6μF
定格電圧	630V.DC～2000V.DC
キャップトル	±5%(J) ;±10%(K)
耐電圧	1.5Un DC/10S
誘電正接	tgδ≦0.0005 C≦1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≧1μF f=10KHz
絶縁抵抗	C≦0.33μF RS≧15000MΩ (20℃ 100V.DC 60Sにて) C＞0.33μF RS*C≧5000S (at 20℃ 100V.DC 60S)
ストライク電流に耐える
平均寿命	100000h(Un; Θホットスポット≤85°C)
参考規格	IEC 61071;IEC 61881;GB/T17702

応用

1. IGBTスナバ、GTOスナバ

2. スナバの基本的な機能は、電源回路内のリアクタンスからエネルギーを吸収することです。

3. ピーク電圧、ピーク電流吸収保護時のパワーエレクトロニクス機器に広く使用されています。

外形図

SMJ-TE アキシャルコンデンサ
電圧		Un630V.DC;Urms400Vac;米国 945V
静電容量(uF)	長さ(mm±1)	T(mm±1)	高さ(mm±1)	φd(mm)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	IPK(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.22	32	9.5	17.5	0.8	16	23	300	66	5.3
0.33	32	12	20	1	13	22	200	66	6.5
0.47	32	14.5	22.5	1	11	21	220	103.4	8.3
0.68	32	18	26	1	10	20	180	122.4	9.5
1	37	11	19	1	8	28	150	150	7.6
1.5	37	13.5	21.5	1	7	27	150	225	9.5
2	37	16	24	1.2	6	24	130	260	10.2
2.5	37	18	26	1.2	5.5	25	120	300	10.5
3	37	20	28	1.2	5	30	110	330	10.8
3.3	37	21	29	1.2	4.5	30	110	363	11.2
4	57	27	36.5	1.2	4.2	32	220	880	12.8
4.7	57	28	40.5	1.2	3.8	32	200	940	13.8
5.6	57	31	33.5	1.2	3.5	32	185	1036	13.5
6.8	37	29	41.5	1.2	2.5	28	100	680	13.8
6.8	57	34	46.5	1.2	2.8	30	180	1224	14.2
電圧		Un 1000V.DC;Urms 500Vac;Us 1500V
静電容量(uF)	長さ(mm±1)	T(mm±1)	高さ(mm±1)	φd(mm)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	IPK(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.15	32	10	17.5	0.8	20	20	1100	165	5.5
0.22	32	12	20	1	15	21	1000	220	7.3
0.33	32	15.5	23	1	13	21	1000	330	8.7
0.47	32	18.5	26	1.2	10	23	1000	470	10.5
0.47	44	14	22	1.2	9	24	900	423	9.5
0.68	32	20	32.5	1.2	7	25	900	612	10.8
0.68	44	17	25	1.2	6	26	800	544	10.2
1	44	21.5	29.5	1.2	5.6	27	900	900	11
1.5	44	26	35.5	1.2	5	29	900	1350	12
1.5	57	21	29	1.2	5	30	700	1050	12.2
2	44	28	40.5	1.2	4.8	30	800	1600	13.2
2	57	24	33.5	1.2	4.8	32	600	1200	12.8
2.2	44	30	42.5	1.2	4.2	32	600	1320	13.8
2.2	57	25	34.5	1.2	4.2	32	500	1100	13.5
2.5	57	25	38	1.2	4	33	500	1250	14.2
3	57	28	40.5	1.2	3.5	34	480	1440	15.6
3.3	57	29.5	42	1.2	3.2	35	450	1485年	16.5
3.5	57	30.5	43	1.2	3.2	35	450	1575年	17.2
4.7	57	35	50.5	1.2	3	36	420	1974年	17.8
5.6	57	38.5	65	1.2	2.8	38	400	2240	18.2
電圧		Un 1200V.DC;Urms 550Vac;Us 1800V
静電容量(uF)	長さ(mm±1)	T(mm±1)	高さ(mm±1)	φd(mm)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	IPK(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.1	32	8.5	16	0.8	20	20	1300	130	6
0.15	32	10	17.5	1	18	20	1200	180	7.5
0.22	32	13	21	1	15	22	1200	264	8.3
0.33	32	16	24	1	12	23	1200	396	9
0.47	32	17.5	30	1.2	10	23	1200	564	9.5
0.47	44	15	23	1.2	9	26	1100	517	9.8
0.68	32	21.5	34	1.2	8	25	1100	517	10
0.68	44	18.5	26.5	1.2	6	27	1000	680	11.7
1	44	23	31	1.2	5	28	1000	1000	12.4
1.5	44	26.5	39	1.2	5	30	950	1425	13.5
1.5	57	22.5	30.5	1.2	5	29	900	1350	12.6
2	44	29	45	1.2	5	30	800	1600	14.2
2	57	26.5	34.5	1.2	4.8	30	750	1500	13.8
2.2	44	31	47	1.2	4.2	32	800	1760年	14.5
2.2	57	27.5	35.5	1.2	4.2	35	700	1540年	14.5
3	57	29	44.5	1.2	3.2	37	500	1500	17.2
3.3	57	30.5	46	1.2	3.2	38	450	1485年	17.8
4.7	57	38	53.5	1.2	3	38	420	1974年	18.2
電圧		Un 1700V.DC;Urms 600Vac;Us 2550V
静電容量(uF)	長さ(mm±1)	T(mm±1)	高さ(mm±1)	φd(mm)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	IPK(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.1	32	9.5	17.5	0.8	18	25	1300	130	7.5
0.15	32	12	20	1	16	24	1200	180	8.5
0.22	32	15	23	1	15	24	1200	264	9.3
0.33	32	18.5	26.5	1	12	22	1200	396	9.9
0.33	44	13.5	21.5	1.2	12	29	1100	363	10.2
0.47	44	16	24	1.2	9	28	1000	470	11.2
0.68	44	20	28	1.2	8	27	1000	680	11.7
1	44	24	33.5	1.2	5.6	26	900	900	12.4
1	57	19.5	27.5	1.2	6	33	850	850	10.8
1.5	44	28	40.5	1.2	4.8	25	800	1200	13.5
1.5	57	24	32	1.2	5	33	750	1125	13.5
2	44	31.5	47	1.2	4.5	24	750	1500	14.2
2	57	27.5	37	1.2	4.8	32	650	1300	12.8
2.2	44	33.5	49	1.2	4.5	34	700	1540年	15.6
2.2	57	29	40	1.2	4.2	32	600	1320	14.5
3	57	31	46.5	1.2	4	30	560	1680年	17.2
3.3	57	33	48.5	1.2	3.2	29	500	1650	17.6
4	57	37	52.5	1.2	3	28	450	1800	18.2
電圧		Un 2000V.DC;Urms 700Vac;US 3000V
静電容量(uF)	長さ(mm±1)	T(mm±1)	高さ(mm±1)	φd(mm)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	IPK(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.068	32	9	17	0.8	25	23	1500	102	6.9
0.1	32	11.5	19.5	1	18	22	1500	150	8.2
0.1	37	10.5	18.5	1	18	26	1450	145	8
0.22	32	17.5	25.5	1.2	15	21	1400	308	9.1
0.22	37	16	24	1.2	15	25	1300	286	9
0.33	37	20	28	1.2	12	24	1250	412.5	9.5
0.33	44	18	26	1.2	12	30	1200	396	10.2
0.47	44	19.5	32	1.2	10	29	1100	517	12.4
0.68	44	24	36.5	1.2	8	28	1000	680	14.2
0.68	57	18.5	31	1.2	8	27	900	612	14.2
1	57	23.5	36	1.2	6	31	950	950	14.5
1.5	57	29.5	42	1.2	5	31	850	1275	14.5
2	57	33	48.5	1.2	4.2	31	750	1500	16.5
2.2	57	35	50.5	1.2	4	30	700	1540年	17.8
電圧		Un 3000V.DC;Urms 750Vac;US 4500V
静電容量(uF)	長さ(mm±1)	T(mm±1)	高さ(mm±1)	φd(mm)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	IPK(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.047	44	13.5	21.5	1	22	20	2000年	94	8.5
0.068	44	17	25	1	20	20	1800	122.4	10.5
0.1	44	20.5	28.5	1.2	18	20	1500	150	12.4
0.15	44	26	34	1.2	16	22	1350	202.5	13.8
0.22	44	29	41.5	1.2	14.5	22	1200	264	14.5