パワーエレクトロニクス機器におけるGTOスナバコンデンサ
技術データ
| 動作温度範囲 | 最大動作温度、上部、最大：+85℃、上部カテゴリ温度：+85℃、下部カテゴリ温度：-40℃ |
| 静電容量範囲 | 0.22～3μF |
| 定格電圧 | 3000V DC～10000V DC |
| キャプトール | ±5%(J) ;±10%(K) |
| 耐電圧 | 1.35Un DC/10S |
| 散逸係数 | tgδ≤0.001 f=1KHz |
| 絶縁抵抗 | C≤0.33μF、RS≥15000MΩ（20℃、100V、DC、60秒時） C＞0.33μF RS*C≥5000S（20℃、100V、DC、60S時） |
| 落雷電流に耐える | データシートを参照してください |
| 平均寿命 | 100000h(Un; Θホットスポット≤70°C) |
| 参照標準 | IEC 61071; |
特徴
1. 樹脂で密封されたマイラーテープ。
2. 銅製ナットリード線
3. 高電圧耐性、低tgδ、低温度上昇。
4. 低いESLおよびESR；
5. 高パルス電流。
応用
1. GTOスナバー。
2. ピーク電圧、ピーク電流吸収保護が必要な場合の電力電子機器で広く使用されています。
典型的な回路
アウトライン図
仕様
| Un=3000V DC | |||||||
| 静電容量（μF） | φD (mm) | L（mm） | L1（mm） | ESL(nH) | dv/dt(V/μS) | Ipk(A) | Irms(A) |
| 0.22 | 35 | 44 | 52 | 25 | 1100 | 242 | 30 |
| 0.33 | 43 | 44 | 52 | 25 | 1000 | 330 | 35 |
| 0.47 | 51 | 44 | 52 | 22 | 850 | 399 | 45 |
| 0.68 | 61 | 44 | 52 | 22 | 800 | 544 | 55 |
| 1 | 74 | 44 | 52 | 20 | 700 | 700 | 65 |
| 1.2 | 80 | 44 | 52 | 20 | 650 | 780 | 75 |
| 1.5 | 52 | 70 | 84 | 30 | 600 | 900 | 45 |
| 2.0 | 60 | 70 | 84 | 30 | 500 | 1000 | 55 |
| 3.0 | 73 | 70 | 84 | 30 | 400 | 1200 | 65 |
| 4.0 | 83 | 70 | 84 | 30 | 350 | 1400 | 70 |
| Un=6000V DC | |||||||
| 静電容量（μF） | φD (mm) | L（mm） | L1（mm） | ESL(nH) | dv/dt(V/μS) | Ipk(A) | Irms(A) |
| 0.22 | 43 | 60 | 72 | 25 | 1500 | 330 | 35 |
| 0.33 | 52 | 60 | 72 | 25 | 1200 | 396 | 45 |
| 0.47 | 62 | 60 | 72 | 25 | 1000 | 470 | 50 |
| 0.68 | 74 | 60 | 72 | 22 | 900 | 612 | 60 |
| 1 | 90 | 60 | 72 | 22 | 800 | 900 | 75 |
| Un=7000V DC | |||||||
| 静電容量（μF） | φD (mm) | L（mm） | L1（mm） | ESL(nH) | dv/dt(V/μS) | Ipk(A) | Irms(A) |
| 0.22 | 45 | 57 | 72 | 25 | 1100 | 242 | 30 |
| 0.68 | 36 | 80 | 92 | 28 | 1000 | 680 | 25 |
| 1.0 | 43 | 80 | 92 | 28 | 850 | 850 | 30 |
| 1.5 | 52 | 80 | 92 | 25 | 800 | 1200 | 35 |
| 1.8 | 57 | 80 | 92 | 25 | 700 | 1260 | 40 |
| 2.0 | 60 | 80 | 92 | 23 | 650 | 1300 | 45 |
| 3.0 | 73 | 80 | 92 | 22 | 500 | 1500 | 50 |
| Un=8000V DC | |||||||
| 静電容量（μF） | φD (mm) | L（mm） | L1（mm） | ESL(nH) | dv/dt(V/μS) | Ipk(A) | Irms(A) |
| 0.33 | 35 | 90 | 102 | 30 | 1100 | 363 | 25 |
| 0.47 | 41 | 90 | 102 | 28 | 1000 | 470 | 30 |
| 0.68 | 49 | 90 | 102 | 28 | 850 | 578 | 35 |
| 1 | 60 | 90 | 102 | 25 | 800 | 800 | 40 |
| 1.5 | 72 | 90 | 102 | 25 | 700 | 1050 | 45 |
| 2.0 | 83 | 90 | 102 | 25 | 650 | 1300 | 50 |
| Un=10000V DC | |||||||
| 静電容量（μF） | φD (mm) | L（mm） | L1（mm） | ESL(nH) | dv/dt(V/μS) | Ipk(A) | Irms(A) |
| 0.33 | 45 | 114 | 123 | 35 | 1500 | 495 | 30 |
| 0.47 | 54 | 114 | 123 | 35 | 1300 | 611 | 35 |
| 0.68 | 65 | 114 | 123 | 35 | 1200 | 816 | 40 |
| 1 | 78 | 114 | 123 | 30 | 1000 | 1000 | 55 |
| 1.5 | 95 | 114 | 123 | 30 | 800 | 1200 | 70 |
