パワーエレクトロニクス機器のGTOスナバコンデンサ
技術データ
| 動作温度範囲 | 最大動作温度：+ 85℃、カテゴリ上限温度：+ 85℃、カテゴリ下限温度：-40℃ |
| 静電容量範囲 | 0.22～3μF |
| 定格電圧 | 3000V.DC～10000V.DC |
| キャップ・トール | ±5%(J)、±10%(K) |
| 耐電圧 | 1.35Un DC/10S |
| 散逸係数 | tgδ≤0.001 f=1KHz |
| 絶縁抵抗 | C≤0.33μF RS≥15000 MΩ（20℃ 100V.DC 60S時） C＞0.33μF RS*C≧5000S（20℃ 100V.DC 60S時） |
| 雷撃電流に耐える | データシートを参照 |
| 平均寿命 | 100000h(Un; Θホットスポット≤70°C) |
| 参照標準 | IEC 61071 ; |
特徴
1. マイラーテープ、樹脂で密封。
2. 銅ナットリード。
3. 高電圧耐性、低tgδ、低温度上昇。
4. 低い ESL および ESR。
5.高パルス電流。
応用
1. GTOスナッバー。
2. ピーク電圧、ピーク電流吸収保護時のパワーエレクトロニクス機器に広く使用されています。
標準回路
外形図
仕様
| Un=3000V.DC | |||||||
| 静電容量（μF） | φD（mm） | 長さ(mm) | L1(mm) | ESL(nH) | dv/dt(V/μS) | イプク(A) | Irms(A) |
| 0.22 | 35 | 44 | 52 | 25 | 1100 | 242 | 30 |
| 0.33 | 43 | 44 | 52 | 25 | 1000 | 330 | 35 |
| 0.47 | 51 | 44 | 52 | 22 | 850 | 399 | 45 |
| 0.68 | 61 | 44 | 52 | 22 | 800 | 544 | 55 |
| 1 | 74 | 44 | 52 | 20 | 700 | 700 | 65 |
| 1.2 | 80 | 44 | 52 | 20 | 650 | 780 | 75 |
| 1.5 | 52 | 70 | 84 | 30 | 600 | 900 | 45 |
| 2.0 | 60 | 70 | 84 | 30 | 500 | 1000 | 55 |
| 3.0 | 73 | 70 | 84 | 30 | 400 | 1200 | 65 |
| 4.0 | 83 | 70 | 84 | 30 | 350 | 1400 | 70 |
| Un=6000V.DC | |||||||
| 静電容量（μF） | φD（mm） | 長さ(mm) | L1(mm) | ESL(nH) | dv/dt(V/μS) | イプク(A) | Irms(A) |
| 0.22 | 43 | 60 | 72 | 25 | 1500 | 330 | 35 |
| 0.33 | 52 | 60 | 72 | 25 | 1200 | 396 | 45 |
| 0.47 | 62 | 60 | 72 | 25 | 1000 | 470 | 50 |
| 0.68 | 74 | 60 | 72 | 22 | 900 | 612 | 60 |
| 1 | 90 | 60 | 72 | 22 | 800 | 900 | 75 |
| Un=7000V.DC | |||||||
| 静電容量（μF） | φD（mm） | 長さ(mm) | L1(mm) | ESL(nH) | dv/dt(V/μS) | イプク(A) | Irms(A) |
| 0.22 | 45 | 57 | 72 | 25 | 1100 | 242 | 30 |
| 0.68 | 36 | 80 | 92 | 28 | 1000 | 680 | 25 |
| 1.0 | 43 | 80 | 92 | 28 | 850 | 850 | 30 |
| 1.5 | 52 | 80 | 92 | 25 | 800 | 1200 | 35 |
| 1.8 | 57 | 80 | 92 | 25 | 700 | 1260 | 40 |
| 2.0 | 60 | 80 | 92 | 23 | 650 | 1300 | 45 |
| 3.0 | 73 | 80 | 92 | 22 | 500 | 1500 | 50 |
| Un=8000V.DC | |||||||
| 静電容量(μF) | φD（mm） | 長さ(mm) | L1(mm) | ESL(nH) | dv/dt(V/μS) | イプク(A) | Irms(A) |
| 0.33 | 35 | 90 | 102 | 30 | 1100 | 363 | 25 |
| 0.47 | 41 | 90 | 102 | 28 | 1000 | 470 | 30 |
| 0.68 | 49 | 90 | 102 | 28 | 850 | 578 | 35 |
| 1 | 60 | 90 | 102 | 25 | 800 | 800 | 40 |
| 1.5 | 72 | 90 | 102 | 25 | 700 | 1050 | 45 |
| 2.0 | 83 | 90 | 102 | 25 | 650 | 1300 | 50 |
| Un=10000V.DC | |||||||
| 静電容量（μF） | φD（mm） | 長さ(mm) | L1(mm) | ESL(nH) | dv/dt(V/μS) | イプク(A) | Irms(A) |
| 0.33 | 45 | 114 | 123 | 35 | 1500 | 495 | 30 |
| 0.47 | 54 | 114 | 123 | 35 | 1300 | 611 | 35 |
| 0.68 | 65 | 114 | 123 | 35 | 1200 | 816 | 40 |
| 1 | 78 | 114 | 123 | 30 | 1000 | 1000 | 55 |
| 1.5 | 95 | 114 | 123 | 30 | 800 | 1200 | 70 |
