IGBT用スナバコンデンサ製造工場 - 高電圧電力用途向け先進メタライズドポリプロピレンフィルムコンデンサ - CRE

IGBT用スナバコンデンサを製造する工場 - 高電圧電力アプリケーション向け先進メタライズドポリプロピレンフィルムコンデンサ - CRE 特集画像

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製品詳細

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私たちは、価格競争力と品質の優位性を同時に保証できる場合にのみ、繁栄できることを知っています。IGBT用スナバコンデンサ , UL規格認定フィルムコンデンサ , カスタムACフィルターコンデンサ当社の専門技術チームが誠心誠意対応させていただきます。ぜひ当社のウェブサイトと会社概要をご覧いただき、お問い合わせをお送りください。

IGBT用スナバコンデンサを製造する工場 - 高電圧電力アプリケーション向け先進メタライズドポリプロピレンフィルムコンデンサ - CRE 詳細:

DMJ-MCシリーズ

CREは、パワーエレクトロニクス用途向けコンデンサの革新技術開発におけるリーディングカンパニーです。当社は、独自のイノベーションと最適なプロセス技術を駆使し、差別化されたコンデンサ製品群を提供しています。

CREフィルムコンデンサは、特定の産業分野向けに信頼性の高い設計ソリューションを提供することができ、金属化フィルム材料、加工、設計に関するいくつかの特定のパラメータを満たしています。

自動生産ラインにより、最速の納期を実現します。

応用

これらのコンデンサは、AC/DC電力変換器およびインバータに使用されます。通常、産業オートメーション、電源、パワーエレクトロニクス、鉄道輸送、新エネルギー車、風力発電変換器、太陽光発電インバータにおいて、DCリンク（バッファ）および/またはフィルタとして使用されています。

仕様表

電圧	450V DC
Cn(uF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ip(KA)	Is(KA)	Irms(A)50℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	P（mm）	体重（kg）
380	76	75	50	10	3.8	11.4	45	2.2	4.5	32	0.5
500	76	100	40	8	4.0	12.0	65	1.5	3.2	32	0.6
750	76	130	50	5	3.8	11.3	65	1.6	3.0	32	0.75
500	86	75	50	8	4.0	12.0	55	1.8	3.7	32	0.8
1000	86	130	50	5	5.0	15.0	70	1.5	2.7	32	1.1
650	86	100	40	5	3.3	9.8	75	1.2	3.0	32	0.9
650	86	95	40	5	3.3	9.8	75	1.2	3.0	32	0.85
650	96	75	50	5	3.3	9.8	60	1.5	3.7	45	0.75
1250	96	130	50	4	5.0	15.0	80	1	3.1	45	1.2
1800	116	130	50	4	7.2	21.6	85	0.8	3.5	50	1.6
1450	86	190	60	4	5.8	17.4	90	0.9	2.7	32	1.55
2700	116	190	60	3	8.1	24.3	100	0.8	2.5	50	2.45
電圧	600V DC
Cn(uF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ip(KA)	Is(KA)	Irms(A)50℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	P（mm）	体重（kg）
250	76	75	40	15	3.8	11.3	40	3.1	4.0	32	0.5
320	76	100	40	10	3.2	9.6	40	2.2	5.7	32	0.6
470	76	130	45	12	5.6	16.9	60	1.8	3.1	32	0.75
330	86	75	40	15	5.0	14.9	45	2.4	4.1	32	0.8
600	86	120	45	12	7.2	21.6	60	1.3	4.3	32	1.05
650	86	130	50	12	7.8	23.4	70	1.2	3.4	32	1.1
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800	96	130	60	12	9.6	28.8	75	1.5	2.4	45	1.2
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1800	116	180	50	8	14.4	43.2	80	1.2	2.6	50	2.4
2700	116	260	70	5	13.5	40.5	100	0.9	2.2	50	3.2
2500	136	180	60	5	12.5	37.5	100	0.8	2.5	50	3.7
3750	136	260	70	4	15.0	45.0	115	0.7	2.2	50	4.7
電圧	700V DC
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200	76	75	40	15	3.0	9.0	40	4	3.1	32	0.5
400	76	130	45	15	6.0	18.0	60	2	2.8	32	0.75
420	76	130	50	15	6.3	18.9	60	2	2.8	32	0.75
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1000	116	130	50	10	10.0	30.0	80	1	3.1	50	1.6
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電圧	800V DC
Cn(uF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ip(KA)	Is(KA)	Irms(A)50℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	P（mm）	体重（kg）
110	86	80	45	20	2.2	6.6	75	2	1.8	32	0.8
150	86	95	45	20	3.0	9.0	80	1.5	2.1	32	0.85
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電圧	900V DC
Cn(uF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ip(KA)	Is(KA)	Irms(A)50℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	P（mm）	体重（kg）
160	76	75	40	15	3.0	9.0	35	3	5.4	32	0.5
320	76	130	50	15	5.0	14.9	60	3.2	1.7	32	0.75
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電圧	1100V DC
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130	76	75	40	15	1.9	5.6	35	4.5	3.6	32	0.5
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電圧	1200V DC
Cn(uF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ip(KA)	Is(KA)	Irms(A)50℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	P（mm）	体重（kg）
170	86	75	50	15	2.6	7.7	45	4.5	2.2	32	0.8
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電圧	1300V DC
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電圧	1500V DC
Cn(uF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ip(KA)	Is(KA)	Irms(A)50℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	P（mm）	重さ
160	86	125	50	15	5.7	17.1	35	5	3.3	32	1.1
160	86	130	50	15	2.4	7.2	60	3.5	1.6	32	1.1
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300	116	130	55	12	3.6	10.8	75	2	1.8	50	1.6
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650	116	230	60	10	6.5	19.5	80	2.8	1.1	50	3
660	136	180	60	7	4.6	13.9	100	1.8	1.1	50	3.7
900	136	230	60	6	5.4	16.2	105	1.2	1.5	50	4.2
1000	136	260	70	5	5.0	15.0	120	0.9	1.5	50	4.7

電圧	1800V DC
Cn(uF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ip(KA)	Is(KA)	Irms(A)50℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	P（mm）	重さ
130	86	125	55	15	5.7	17.1	35	5	3.3	32	1.1
120	86	130	55	15	1.8	5.4	60	2.5	2.2	32	1.1
180	86	180	60	15	2.7	8.1	65	2	2.4	32	1.5
260	86	230	60	12	3.1	9.4	60	3	1.9	32	1.8
230	116	130	60	12	2.8	8.3	80	2	1.6	50	1.6
360	116	180	65	10	3.6	10.8	80	3.2	1.0	50	2.4
500	116	230	70	10	5.0	15.0	75	3	1.2	50	3
510	136	180	70	7	3.6	10.7	100	2	1.0	50	3.7
680	136	230	70	7	4.8	14.3	95	2	1.1	50	4.2

電圧	2000V DC
Cn(uF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ip(KA)	Is(KA)	Irms(A)50℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	P（mm）	重さ
100	86	125	55	15	1.5	4.5	35	3.8	4.3	32	1.1
90	86	130	55	15	1.4	4.1	65	2.5	1.9	32	1.1
150	86	180	60	15	2.3	6.8	60	3.5	1.6	32	1.5
200	86	230	60	12	2.4	7.2	65	2	2.4	32	1.8
180	116	130	65	10	1.8	5.4	75	2.5	1.4	50	1.6
280	116	180	70	10	2.8	8.4	70	2	2.0	50	2.4
380	116	230	80	10	3.8	11.4	80	2	1.6	50	3
400	136	180	60	7	2.8	8.4	100	1.6	1.3	50	3.7
550	136	230	70	7	3.9	11.6	100	1.5	1.3	50	4.2
850	136	335	80	5	4.3	12.8	120	1.1	1.3	50	6.1

電圧	2200V DC
Cn(uF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ip(KA)	Is(KA)	Irms(A)50℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	P（mm）	重さ
320	116	230	70	12	3.8	11.5	85	2	1.4	50	2.4
385	116	295	75	10	3.9	11.6	115	1.1	1.4	50	3.1
450	136	230	75	7	3.2	9.5	100	1.3	1.5	50	4.2
670	136	335	80	5	3.4	10.1	120	1	1.4	50	6.1

電圧	2800V DC
Cn(uF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ip(KA)	Is(KA)	Irms(A)50℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	P（mm）	重さ
160	116	180	70	30	4.8	14.4	75	2.2	1.6	50	2.4
210	116	230	75	25	5.3	15.8	70	2.8	1.5	50	3
225	136	180	75	20	4.5	13.5	85	2	1.4	50	3.7
300	136	230	80	15	4.5	13.5	80	2.5	1.3	50	4.2

電圧	3200V DC
Cn(uF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ip(KA)	Is(KA)	Irms(A)50℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	P（mm）	重さ
115	116	180	70	40	4.6	13.8	70	3.5	1.2	50	2.4
160	116	230	75	35	5.6	16.8	70	3.2	1.3	50	3
160	136	180	75	30	4.8	14.4	85	3	0.9	50	3.7
225	136	230	80	25	5.6	16.9	80	3.5	0.9	50	4.2

電圧	4000V DC
Cn(uF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ip(KA)	Is(KA)	Irms(A)50℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	P（mm）	重さ
70	116	180	70	50	3.5	10.5	70	3.5	1.2	50	2.4
95	116	230	75	40	3.8	11.4	70	3.6	1.1	50	3
100	136	180	75	35	3.5	10.5	85	3	0.9	50	3.7
135	136	230	80	30	4.1	12.2	80	3.5	0.9	50	4.2