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電気自動車用の割引卸売パワーコンデンサ - アキシャル GTO スナバコンデンサ - CRE

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「誠実、革新、厳格、効率」は、お客様との相互互恵と相互利益を目指して長期的に発展するための当社の一貫したコンセプトです。高パルス電流 IGBT スナバ , 乾式フィルムコンデンサー工場 , 円筒形プラスチックケースコンデンサ, 当社の原則は、高品質の製品、プロフェッショナルなサービス、誠実なコミュニケーションを提供することです。長期的なビジネス関係を築くために、お友達全員がトライアル注文をすることを歓迎します。
電気自動車用の割引卸売りパワーコンデンサ - アキシャル GTO スナバコンデンサ - CRE 詳細:

技術データ

使用温度範囲 最高使用温度、最高、最高: + 85℃ 上位カテゴリー温度: +85℃ 下位カテゴリー温度: -40℃
静電容量範囲 0.1μF~5.6μF
定格電圧

630V.DC~2000V.DC

キャップトル

±5%(J) ;±10%(K)

耐電圧

1.5Un DC/10S

誘電正接

tgδ≦0.0005 C≦1μF f=10KHz

tgδ≤0.001 C≧1μF f=10KHz

絶縁抵抗

C≦0.33μF RS≧15000MΩ (20℃ 100V.DC 60Sにて)

C>0.33μF RS*C≧5000S (at 20℃ 100V.DC 60S)

ストライク電流に耐える
平均寿命

100000h(Un; Θホットスポット≤85°C)

参考規格

IEC 61071;IEC 61881;GB/T17702

応用

1. IGBT スナバ。

2. ピーク電圧、ピーク電流吸収保護時のパワーエレクトロニクス機器で広く使用されています。

外形図

 

1

 

 

 

 

SMJ-TE アキシャルコンデンサ
電圧 Un630V.DC;Urms400Vac;米国 945V
静電容量(uF) 長さ(mm±1) T(mm±1) 高さ(mm±1) φd(mm) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) IPK(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0.22 32 9.5 17.5 0.8 16 23 300 66 5.3
0.33 32 12 20 1 13 22 200 66 6.5
0.47 32 14.5 22.5 1 11 21 220 103.4 8.3
0.68 32 18 26 1 10 20 180 122.4 9.5
1 37 11 19 1 8 28 150 150 7.6
1.5 37 13.5 21.5 1 7 27 150 225 9.5
2 37 16 24 1.2 6 24 130 260 10.2
2.5 37 18 26 1.2 5.5 25 120 300 10.5
3 37 20 28 1.2 5 30 110 330 10.8
3.3 37 21 29 1.2 4.5 30 110 363 11.2
4 57 27 36.5 1.2 4.2 32 220 880 12.8
4.7 57 28 40.5 1.2 3.8 32 200 940 13.8
5.6 57 31 33.5 1.2 3.5 32 185 1036 13.5
6.8 37 29 41.5 1.2 2.5 28 100 680 13.8
6.8 57 34 46.5 1.2 2.8 30 180 1224 14.2

 

電圧 Un 1000V.DC;Urms 500Vac;Us 1500V
静電容量(uF) 長さ(mm±1) T(mm±1) 高さ(mm±1) φd(mm) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) IPK(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0.15 32 10 17.5 0.8 20 20 1100 165 5.5
0.22 32 12 20 1 15 21 1000 220 7.3
0.33 32 15.5 23 1 13 21 1000 330 8.7
0.47 32 18.5 26 1.2 10 23 1000 470 10.5
0.47 44 14 22 1.2 9 24 900 423 9.5
0.68 32 20 32.5 1.2 7 25 900 612 10.8
0.68 44 17 25 1.2 6 26 800 544 10.2
1 44 21.5 29.5 1.2 5.6 27 900 900 11
1.5 44 26 35.5 1.2 5 29 900 1350 12
1.5 57 21 29 1.2 5 30 700 1050 12.2
2 44 28 40.5 1.2 4.8 30 800 1600 13.2
2 57 24 33.5 1.2 4.8 32 600 1200 12.8
2.2 44 30 42.5 1.2 4.2 32 600 1320 13.8
2.2 57 25 34.5 1.2 4.2 32 500 1100 13.5
2.5 57 25 38 1.2 4 33 500 1250 14.2
3 57 28 40.5 1.2 3.5 34 480 1440 15.6
3.3 57 29.5 42 1.2 3.2 35 450 1485年 16.5
3.5 57 30.5 43 1.2 3.2 35 450 1575年 17.2
4.7 57 35 50.5 1.2 3 36 420 1974年 17.8
5.6 57 38.5 65 1.2 2.8 38 400 2240 18.2

 

電圧 Un 1200V.DC;Urms 550Vac;Us 1800V
静電容量(uF) 長さ(mm±1) T(mm±1) 高さ(mm±1) φd(mm) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) IPK(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0.1 32 8.5 16 0.8 20 20 1300 130 6
0.15 32 10 17.5 1 18 20 1200 180 7.5
0.22 32 13 21 1 15 22 1200 264 8.3
0.33 32 16 24 1 12 23 1200 396 9
0.47 32 17.5 30 1.2 10 23 1200 564 9.5
0.47 44 15 23 1.2 9 26 1100 517 9.8
0.68 32 21.5 34 1.2 8 25 1100 517 10
0.68 44 18.5 26.5 1.2 6 27 1000 680 11.7
1 44 23 31 1.2 5 28 1000 1000 12.4
1.5 44 26.5 39 1.2 5 30 950 1425 13.5
1.5 57 22.5 30.5 1.2 5 29 900 1350 12.6
2 44 29 45 1.2 5 30 800 1600 14.2
2 57 26.5 34.5 1.2 4.8 30 750 1500 13.8
2.2 44 31 47 1.2 4.2 32 800 1760年 14.5
2.2 57 27.5 35.5 1.2 4.2 35 700 1540年 14.5
3 57 29 44.5 1.2 3.2 37 500 1500 17.2
3.3 57 30.5 46 1.2 3.2 38 450 1485年 17.8
4.7 57 38 53.5 1.2 3 38 420 1974年 18.2

 

電圧 Un 1700V.DC;Urms 600Vac;Us 2550V
静電容量(uF) 長さ(mm±1) T(mm±1) 高さ(mm±1) φd(mm) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) IPK(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0.1 32 9.5 17.5 0.8 18 25 1300 130 7.5
0.15 32 12 20 1 16 24 1200 180 8.5
0.22 32 15 23 1 15 24 1200 264 9.3
0.33 32 18.5 26.5 1 12 22 1200 396 9.9
0.33 44 13.5 21.5 1.2 12 29 1100 363 10.2
0.47 44 16 24 1.2 9 28 1000 470 11.2
0.68 44 20 28 1.2 8 27 1000 680 11.7
1 44 24 33.5 1.2 5.6 26 900 900 12.4
1 57 19.5 27.5 1.2 6 33 850 850 10.8
1.5 44 28 40.5 1.2 4.8 25 800 1200 13.5
1.5 57 24 32 1.2 5 33 750 1125 13.5
2 44 31.5 47 1.2 4.5 24 750 1500 14.2
2 57 27.5 37 1.2 4.8 32 650 1300 12.8
2.2 44 33.5 49 1.2 4.5 34 700 1540年 15.6
2.2 57 29 40 1.2 4.2 32 600 1320 14.5
3 57 31 46.5 1.2 4 30 560 1680年 17.2
3.3 57 33 48.5 1.2 3.2 29 500 1650 17.6
4 57 37 52.5 1.2 3 28 450 1800 18.2

 

電圧 Un 2000V.DC;Urms 700Vac;US 3000V
静電容量(uF) 長さ(mm±1) T(mm±1) 高さ(mm±1) φd(mm) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) IPK(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0.068 32 9 17 0.8 25 23 1500 102 6.9
0.1 32 11.5 19.5 1 18 22 1500 150 8.2
0.1 37 10.5 18.5 1 18 26 1450 145 8
0.22 32 17.5 25.5 1.2 15 21 1400 308 9.1
0.22 37 16 24 1.2 15 25 1300 286 9
0.33 37 20 28 1.2 12 24 1250 412.5 9.5
0.33 44 18 26 1.2 12 30 1200 396 10.2
0.47 44 19.5 32 1.2 10 29 1100 517 12.4
0.68 44 24 36.5 1.2 8 28 1000 680 14.2
0.68 57 18.5 31 1.2 8 27 900 612 14.2
1 57 23.5 36 1.2 6 31 950 950 14.5
1.5 57 29.5 42 1.2 5 31 850 1275 14.5
2 57 33 48.5 1.2 4.2 31 750 1500 16.5
2.2 57 35 50.5 1.2 4 30 700 1540年 17.8

 

電圧 Un 3000V.DC;Urms 750Vac;US 4500V
静電容量(uF) 長さ(mm±1) T(mm±1) 高さ(mm±1) φd(mm) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) IPK(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0.047 44 13.5 21.5 1 22 20 2000年 94 8.5
0.068 44 17 25 1 20 20 1800 122.4 10.5
0.1 44 20.5 28.5 1.2 18 20 1500 150 12.4
0.15 44 26 34 1.2 16 22 1350 202.5 13.8
0.22 44 29 41.5 1.2 14.5 22 1200 264 14.5

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