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2018年製 高品質高出力フィルムコンデンサ - パワーエレクトロニクス機器用GTOスナバコンデンサ - CRE

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2018年製 高品質高出力フィルムコンデンサ - パワーエレクトロニクス機器用GTOスナバコンデンサ - CRE詳細:

技術データ

動作温度範囲 最大動作温度、上部、最大:+85℃、上部カテゴリ温度:+85℃、下部カテゴリ温度:-40℃
静電容量範囲

0.22~3μF

定格電圧

3000V DC~10000V DC

キャプトール

±5%(J) ;±10%(K)

耐電圧

1.35Un DC/10S

散逸係数

tgδ≤0.001 f=1KHz

絶縁抵抗

C≤0.33μF、RS≥15000MΩ(20℃、100V、DC、60秒時)

C>0.33μF RS*C≥5000S(20℃、100V、DC、60S時)

落雷電流に耐える

データシートを参照してください

平均寿命

100000h(Un; Θホットスポット≤70°C)

参照標準

IEC 61071;

特徴

1. 樹脂で密封されたマイラーテープ。

2. 銅製ナットリード線

3. 高電圧耐性、低tgδ、低温度上昇。

4. 低いESLおよびESR;

5. 高パルス電流。

応用

1. GTOスナバー。

2. ピーク電圧、ピーク電流吸収保護が必要な場合の電力電子機器で広く使用されています。

典型的な回路

1

アウトライン図

2

仕様

Un=3000V DC

静電容量(μF)

φD (mm)

L(mm)

L1(mm)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

Ipk(A)

Irms(A)

0.22

35

44

52

25

1100

242

30

0.33

43

44

52

25

1000

330

35

0.47

51

44

52

22

850

399

45

0.68

61

44

52

22

800

544

55

1

74

44

52

20

700

700

65

1.2

80

44

52

20

650

780

75

1.5

52

70

84

30

600

900

45

2.0

60

70

84

30

500

1000

55

3.0

73

70

84

30

400

1200

65

4.0

83

70

84

30

350

1400

70

Un=6000V DC

静電容量(μF)

φD (mm)

L(mm)

L1(mm)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

Ipk(A)

Irms(A)

0.22

43

60

72

25

1500

330

35

0.33

52

60

72

25

1200

396

45

0.47

62

60

72

25

1000

470

50

0.68

74

60

72

22

900

612

60

1

90

60

72

22

800

900

75

 

Un=7000V DC

静電容量(μF)

φD (mm)

L(mm)

L1(mm)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

Ipk(A)

Irms(A)

0.22

45

57

72

25

1100

242

30

0.68

36

80

92

28

1000

680

25

1.0

43

80

92

28

850

850

30

1.5

52

80

92

25

800

1200

35

1.8

57

80

92

25

700

1260

40

2.0

60

80

92

23

650

1300

45

3.0

73

80

92

22

500

1500

50

 

Un=8000V DC

静電容量(μF)

φD (mm)

L(mm)

L1(mm)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

Ipk(A)

Irms(A)

0.33

35

90

102

30

1100

363

25

0.47

41

90

102

28

1000

470

30

0.68

49

90

102

28

850

578

35

1

60

90

102

25

800

800

40

1.5

72

90

102

25

700

1050

45

2.0

83

90

102

25

650

1300

50

 

Un=10000V DC

静電容量(μF)

φD (mm)

L(mm)

L1(mm)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

Ipk(A)

Irms(A)

0.33

45

114

123

35

1500

495

30

0.47

54

114

123

35

1300

611

35

0.68

65

114

123

35

1200

816

40

1

78

114

123

30

1000

1000

55

1.5

95

114

123

30

800

1200

70


商品詳細画像:

2018年製 高品質高出力フィルムコンデンサ - パワーエレクトロニクス機器用GTOスナバコンデンサ - CRE詳細画像

2018年製 高品質高出力フィルムコンデンサ - パワーエレクトロニクス機器用GTOスナバコンデンサ - CRE詳細画像

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関連製品ガイド:

私たちのすべての活動は通常、「お客様第一、最初の信頼、食品包装と環境保護に専念」という信条と結びついています。2018年高品質高出力フィルムコンデンサ - 電力電子機器用GTOスナバコンデンサ - CRE、製品はウルグアイ、チュニジア、マドリードなど世界中に供給されます。お客様が必要とするものが私たちの追求するものです。私たちの製品は一流の品質をお届けできると確信しています。そして今、世界中の皆様とパートナーシップの友情を育むことを心から願っています。手を携えて相互利益のために協力しましょう!
  • このメーカーは、私たちの選択と要望を尊重してくれただけでなく、多くの有益な提案もしてくれたおかげで、最終的に調達業務を無事完了することができました。 星5つ スペインのメリッサより - 2018年10月9日 19:07
    私たちはこの会社と長年協力関係にあり、同社は常に納期厳守、高品質、そして数量の正確さを保証してくれており、私たちは良いパートナーです。 星5つ ネパール出身のヤニック・ヴェルゴーズによる投稿 - 2017年11月20日 15:58

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