2018 高品質高出力フィルムコンデンサ - パワーエレクトロニクス機器用GTOスナバコンデンサ - CRE

2018 高品質高出力フィルムコンデンサ - パワーエレクトロニクス機器におけるGTOスナバコンデンサ - CRE注目の画像

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2018 高品質高出力フィルムコンデンサ - パワーエレクトロニクス機器におけるGTOスナバコンデンサ - CRE 詳細:

技術データ

動作温度範囲	最大動作温度：+ 85℃、カテゴリ上限温度：+ 85℃、カテゴリ下限温度：-40℃
静電容量範囲	0.22～3μF
定格電圧	3000V.DC～10000V.DC
キャップ・トール	±5%(J)、±10%(K)
耐電圧	1.35Un DC/10S
散逸係数	tgδ≤0.001 f=1KHz
絶縁抵抗	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ（20℃ 100V.DC 60S時） C＞0.33μF RS*C≧5000S（20℃ 100V.DC 60S時）
雷撃電流に耐える	データシートを参照
平均寿命	100000h(Un; Θホットスポット≤70°C)
参照標準	IEC 61071 ;

特徴

1. マイラーテープ、樹脂で密封。

2. 銅ナットリード。

3. 高電圧耐性、低tgδ、低温度上昇。

4. 低い ESL および ESR。

5.高パルス電流。

応用

1. GTOスナッバー。

2. ピーク電圧、ピーク電流吸収保護時のパワーエレクトロニクス機器に広く使用されています。

標準回路

外形図

仕様

Un=3000V.DC
静電容量（μF）	φD（mm）	長さ(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	イプク(A)	Irms(A)
0.22	35	44	52	25	1100	242	30
0.33	43	44	52	25	1000	330	35
0.47	51	44	52	22	850	399	45
0.68	61	44	52	22	800	544	55
1	74	44	52	20	700	700	65
1.2	80	44	52	20	650	780	75
1.5	52	70	84	30	600	900	45
2.0	60	70	84	30	500	1000	55
3.0	73	70	84	30	400	1200	65
4.0	83	70	84	30	350	1400	70
Un=6000V.DC
静電容量（μF）	φD（mm）	長さ(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	イプク(A)	Irms(A)
0.22	43	60	72	25	1500	330	35
0.33	52	60	72	25	1200	396	45
0.47	62	60	72	25	1000	470	50
0.68	74	60	72	22	900	612	60
1	90	60	72	22	800	900	75

Un=7000V.DC
静電容量（μF）	φD（mm）	長さ(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	イプク(A)	Irms(A)
0.22	45	57	72	25	1100	242	30
0.68	36	80	92	28	1000	680	25
1.0	43	80	92	28	850	850	30
1.5	52	80	92	25	800	1200	35
1.8	57	80	92	25	700	1260	40
2.0	60	80	92	23	650	1300	45
3.0	73	80	92	22	500	1500	50

Un=8000V.DC
静電容量(μF)	φD（mm）	長さ(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	イプク(A)	Irms(A)
0.33	35	90	102	30	1100	363	25
0.47	41	90	102	28	1000	470	30
0.68	49	90	102	28	850	578	35
1	60	90	102	25	800	800	40
1.5	72	90	102	25	700	1050	45
2.0	83	90	102	25	650	1300	50

Un=10000V.DC
静電容量（μF）	φD（mm）	長さ(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	イプク(A)	Irms(A)
0.33	45	114	123	35	1500	495	30
0.47	54	114	123	35	1300	611	35
0.68	65	114	123	35	1200	816	40
1	78	114	123	30	1000	1000	55
1.5	95	114	123	30	800	1200	70

製品詳細写真:

関連製品ガイド:

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カスタム設計のフィルムコンデンサ