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トレンド製品 4 ピン端子コンデンサ - 金属化フィルム IGBT スナバ コンデンサ - CRE

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トレンド製品 4 ピン端子コンデンサ - 金属化フィルム IGBT スナバ コンデンサ - CRE 詳細:

技術データ

 

使用温度範囲 最高使用温度、最高温度: +105℃ 上位カテゴリー温度: +85℃ 下位カテゴリー温度: -40℃
静電容量範囲 0.1μF~5.6μF
定格電圧 700V.DC~3000V.DC
キャップトル ±5%(J) ;±10%(K)
耐電圧 1.5Un DC/10S
誘電正接 tgδ≦0.0005 C≦1μF f=10KHztgδ≦0.001 C≧1μF f=10KHz
絶縁抵抗

C≦0.33μF RS≧15000MΩ (at20℃ 100V.DC 60S)

C>0.33μF RS*C≧5000S(at20℃ 100V.DC 60S)

ストライク電流に耐える

詳細評価表

難燃性

UL94V-0

平均寿命

100000h(Un; Θホットスポット≤85°C)

参考規格

IEC61071;GB/T17702;

 

電圧 Un 700V.DC、Urms400Vac;Us1050V
寸法(mm)
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) IPK(A) Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47 42.5 24.5 27.5 12 25 500 235 8
0.68 42.5 24.5 27.5 10 25 480 326.4 10
1 42.5 24.5 27.5 8 24 450 450 12
1.5 42.5 33.5 35.5 7 25 430 645 5
2 42.5 33 35.5 6 24 420 840 15
2.5 42.5 33 45 6 23 400 1000 18
3 42.5 33 45 5.5 22 380 1140 20
3 57.5 30 45 5 26 350 1050 22
3.5 42.5 33 45 5 23 350 1225 25
3.5 57.5 30 45 6 25 300 1050 22
4.7 57.5 35 50 5 28 280 1316 25
5.6 57.5 38 54 4 30 250 1400 25
6 57.5 38 54 3.5 33 230 1380 28
6.8 57.5 42.5 56 3.2 32 220 1496年 32
8 57.5 42.5 56 2.8 30 200 1600 33

 

電圧 Un 1000V.DC、Urms500Vac;Us1500V
寸法(mm)
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) IPK(A) イルムス
0.47 42.5 24.5 27.5 11 25 1000 470 10
0.68 42.5 24.5 27.5 8 25 800 544 12
1 42.5 33.5 35.5 6 24 800 800 15
1.5 42.5 33 45 6 24 700 1050 15
2 42.5 33 45 5 22 700 1400 20
2.5 57.5 30 45 5 30 600 1500 22
3 57.5 35 50 4 30 600 1800 25
3.3 57.5 35 50 3.5 28 550 1815年 25
3.5 57.5 38 54 3.5 28 500 1750年 25
4 57.5 38 54 3.2 26 500 2000年 28
4.7 57.5 42.5 56 3 25 420 1974年 30
5.6 57.5 42.5 56 2.8 24 400 2240 32

 

電圧 Un 1200V.DC、Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) IPK(A) イルムス
0.47 42.5 24.5 27.5 11 24 1200 564 10
0.68 42.5 33.5 35.5 7 23 1100 748 12
1 42.5 33.5 35.5 6 22 800 800 14
1.5 42.5 33 45 5 20 800 1200 15
2 57.5 30 45 4 30 750 1500 20
2.5 57.5 35 50 4 28 700 1750年 25
3 57.5 35 50 4 27 600 1800 25
3.3 57.5 38 54 4 27 550 1815年 28
3.5 57.5 38 54 3.5 25 500 1750年 28
4 57.5 42.5 56 3.5 25 450 1800 30
4.7 57.5 42.5 56 3.2 23 420 1974年 32

 

電圧 Un 1700V.DC、Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) IPK(A) イルムス
0.33 42.5 24.5 27.5 12 25 1300 429 9
0.47 42.5 24.5 27.5 10 24 1300 611 10
0.68 42.5 33.5 35.5 8 23 1300 884 12
1 42.5 33 45 7 22 1200 1200 15
1.5 42.5 33 45 6 22 1200 1800 18
1.5 57.5 30 45 5 31 1200 1800 20
2 57.5 30 45 5 30 1100 2200 22
2.5 57.5 35 50 4 28 1100 2750 25
3 57.5 38 54 4 27 700 2100 25
3.3 57.5 38 54 3.8 26 600 1980年 28
3.5 57.5 42.5 56 3.5 25 500 1750年 30
4 57.5 42.5 56 3.2 25 450 1800 32

 

電圧 Un 2000V.DC、Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) IPK(A) イルムス
0.22 42.5 24.5 27.5 15 25 1500 330 10
0.33 42.5 33.5 35.5 12 24 1500 495 12
0.47 42.5 33.5 35.5 11 23 1400 658 15
0.68 42.5 33 45 8 22 1200 816 18
0.68 57.5 30 45 7 30 1100 748 20
0.82 42.5 33 45 7 28 1200 984 22
1 57.5 30 45 6 28 1100 1100 25
1.5 57.5 35 50 5 25 1000 1500 28
2 57.5 38 54 5 24 800 1600 28
2.2 57.5 42.5 56 4 23 700 1540年 32

 

電圧 Un 3000V.DC、Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) IPK(A) イルムス
0.15 42.5 33 45 18 28 2500 375 25
0.22 42.5 33 45 15 27 2200 484 28
0.22 57.5 35 50 15 25 2000年 330 20
0.33 57.5 35 50 12 24 1800 495 20
0.47 57.5 38 54 11 23 1600 752 22
0.68 57.5 42.5 56 8 22 1500 1020 28

特徴

1. プラスチック、樹脂で密封。

2. 錫メッキ銅インサートリード、IGBT の取り付けが簡単;

3. 高電圧に対する耐性、低tgδ、低温度上昇;

4. 低い ESL と ESR;

5. 高パルス電流。

SMJ-P シリーズは、低インダクタンスの内部構造、オプションのモールド樹脂ケース、およびカスタマイズされた終端を利用することにより、高速スイッチング IGBTS 用に設計されており、スナバおよび大電流高周波入力フィルタとして機能します。


製品詳細写真:

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関連製品ガイド:

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