• bbb

PCBコンデンサの再生可能設計 - 高電圧、高電流、高パルス用途で使用されるポリプロピレンスナバコンデンサ - CRE

簡単な説明:


製品詳細

製品タグ

関連ビデオ

フィードバック (2)

「細部にまでこだわって品質を管理し、品質で力を発揮する」。当社は、非常に効率的で安定したチーム体制の構築に努め、効果的で優れた管理システムを模索してきました。パワーエレクトロニクスコンデンサソリューション , 風力発電ユニットの直流電圧中間回路用DCリンクコンデンサ , 低ESLフィルムコンデンサ私たちとの協力と発展を温かく歓迎します!私たちは高品質で競争力のある価格の製品を提供し続けます。
PCBコンデンサの再生可能設計 - 高電圧、高電流、高パルス用途で使用されるポリプロピレンスナバコンデンサ - CRE詳細:

技術データ

動作温度範囲 最大動作温度:+ 85℃、カテゴリ上限温度:+ 85℃、カテゴリ下限温度:-40℃
静電容量範囲 0.1μF~5.6μF
定格電圧

630V.DC~2000V.DC

キャップ・トール

±5%(J)、±10%(K)

耐電圧

1.5Un DC/10S

散逸係数

tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz

tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz

絶縁抵抗

C≤0.33μF RS≥15000 MΩ(20℃ 100V.DC 60S時)

C>0.33μF RS*C≧5000S(20℃ 100V.DC 60S時)

雷撃電流に耐える
平均寿命

100000h(Un; Θホットスポット≤85°C)

参照標準

IEC 61071;IEC 61881;GB/T17702

応用

1. IGBTスナバ、GTOスナバ

2. ピーク電圧、ピーク電流吸収保護時のパワーエレクトロニクス機器に広く使用されています。

外形図

写真1

SMJ-TE アキシャルコンデンサ
電圧 非630V.DC;非400Vac;非945V
静電容量(uF) 長さ(mm±1) T (mm±1) 高さ(mm±1) φd(mm) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) イプク(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0.22 32 9.5 17.5 0.8 16 23 300 66 5.3
0.33 32 12 20 1 13 22 200 66 6.5
0.47 32 14.5 22.5 1 11 21 220 103.4 8.3
0.68 32 18 26 1 10 20 180 122.4 9.5
1 37 11 19 1 8 28 150 150 7.6
1.5 37 13.5 21.5 1 7 27 150 225 9.5
2 37 16 24 1.2 6 24 130 260 10.2
2.5 37 18 26 1.2 5.5 25 120 300 10.5
3 37 20 28 1.2 5 30 110 330 10.8
3.3 37 21 29 1.2 4.5 30 110 363 11.2
4 57 27 36.5 1.2 4.2 32 220 880 12.8
4.7 57 28 40.5 1.2 3.8 32 200 940 13.8
5.6 57 31 33.5 1.2 3.5 32 185 1036 13.5
6.8 37 29 41.5 1.2 2.5 28 100 680 13.8
6.8 57 34 46.5 1.2 2.8 30 180 1224 14.2
電圧 1000V.DC(非絶縁)、500Vac(非絶縁)、1500V(非絶縁)
静電容量(uF) 長さ(mm±1) T (mm±1) 高さ(mm±1) φd(mm) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) イプク(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0.15 32 10 17.5 0.8 20 20 1100 165 5.5
0.22 32 12 20 1 15 21 1000 220 7.3
0.33 32 15.5 23 1 13 21 1000 330 8.7
0.47 32 18.5 26 1.2 10 23 1000 470 10.5
0.47 44 14 22 1.2 9 24 900 423 9.5
0.68 32 20 32.5 1.2 7 25 900 612 10.8
0.68 44 17 25 1.2 6 26 800 544 10.2
1 44 21.5 29.5 1.2 5.6 27 900 900 11
1.5 44 26 35.5 1.2 5 29 900 1350 12
1.5 57 21 29 1.2 5 30 700 1050 12.2
2 44 28 40.5 1.2 4.8 30 800 1600 13.2
2 57 24 33.5 1.2 4.8 32 600 1200 12.8
2.2 44 30 42.5 1.2 4.2 32 600 1320 13.8
2.2 57 25 34.5 1.2 4.2 32 500 1100 13.5
2.5 57 25 38 1.2 4 33 500 1250 14.2
3 57 28 40.5 1.2 3.5 34 480 1440 15.6
3.3 57 29.5 42 1.2 3.2 35 450 1485 16.5
3.5 57 30.5 43 1.2 3.2 35 450 1575 17.2
4.7 57 35 50.5 1.2 3 36 420 1974 17.8
5.6 57 38.5 65 1.2 2.8 38 400 2240 18.2
電圧 1200V.DC(Un)、550Vac(Urms)、1800V(Us)
静電容量(uF) 長さ(mm±1) T (mm±1) 高さ(mm±1) φd(mm) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) イプク(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0.1 32 8.5 16 0.8 20 20 1300 130 6
0.15 32 10 17.5 1 18 20 1200 180 7.5
0.22 32 13 21 1 15 22 1200 264 8.3
0.33 32 16 24 1 12 23 1200 396 9
0.47 32 17.5 30 1.2 10 23 1200 564 9.5
0.47 44 15 23 1.2 9 26 1100 517 9.8
0.68 32 21.5 34 1.2 8 25 1100 517 10
0.68 44 18.5 26.5 1.2 6 27 1000 680 11.7
1 44 23 31 1.2 5 28 1000 1000 12.4
1.5 44 26.5 39 1.2 5 30 950 1425 13.5
1.5 57 22.5 30.5 1.2 5 29 900 1350 12.6
2 44 29 45 1.2 5 30 800 1600 14.2
2 57 26.5 34.5 1.2 4.8 30 750 1500 13.8
2.2 44 31 47 1.2 4.2 32 800 1760 14.5
2.2 57 27.5 35.5 1.2 4.2 35 700 1540 14.5
3 57 29 44.5 1.2 3.2 37 500 1500 17.2
3.3 57 30.5 46 1.2 3.2 38 450 1485 17.8
4.7 57 38 53.5 1.2 3 38 420 1974 18.2
電圧 1700V.DC(非絶縁)、600Vac(非絶縁)、2550V(非絶縁)
静電容量(uF) 長さ(mm±1) T (mm±1) 高さ(mm±1) φd(mm) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) イプク(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0.1 32 9.5 17.5 0.8 18 25 1300 130 7.5
0.15 32 12 20 1 16 24 1200 180 8.5
0.22 32 15 23 1 15 24 1200 264 9.3
0.33 32 18.5 26.5 1 12 22 1200 396 9.9
0.33 44 13.5 21.5 1.2 12 29 1100 363 10.2
0.47 44 16 24 1.2 9 28 1000 470 11.2
0.68 44 20 28 1.2 8 27 1000 680 11.7
1 44 24 33.5 1.2 5.6 26 900 900 12.4
1 57 19.5 27.5 1.2 6 33 850 850 10.8
1.5 44 28 40.5 1.2 4.8 25 800 1200 13.5
1.5 57 24 32 1.2 5 33 750 1125 13.5
2 44 31.5 47 1.2 4.5 24 750 1500 14.2
2 57 27.5 37 1.2 4.8 32 650 1300 12.8
2.2 44 33.5 49 1.2 4.5 34 700 1540 15.6
2.2 57 29 40 1.2 4.2 32 600 1320 14.5
3 57 31 46.5 1.2 4 30 560 1680 17.2
3.3 57 33 48.5 1.2 3.2 29 500 1650 17.6
4 57 37 52.5 1.2 3 28 450 1800 18.2
電圧 2000V.DC(Un)、700Vac(Urms)、3000V(Us)
静電容量(uF) 長さ(mm±1) T (mm±1) 高さ(mm±1) φd(mm) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) イプク(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0.068 32 9 17 0.8 25 23 1500 102 6.9
0.1 32 11.5 19.5 1 18 22 1500 150 8.2
0.1 37 10.5 18.5 1 18 26 1450 145 8
0.22 32 17.5 25.5 1.2 15 21 1400 308 9.1
0.22 37 16 24 1.2 15 25 1300 286 9
0.33 37 20 28 1.2 12 24 1250 412.5 9.5
0.33 44 18 26 1.2 12 30 1200 396 10.2
0.47 44 19.5 32 1.2 10 29 1100 517 12.4
0.68 44 24 36.5 1.2 8 28 1000 680 14.2
0.68 57 18.5 31 1.2 8 27 900 612 14.2
1 57 23.5 36 1.2 6 31 950 950 14.5
1.5 57 29.5 42 1.2 5 31 850 1275 14.5
2 57 33 48.5 1.2 4.2 31 750 1500 16.5
2.2 57 35 50.5 1.2 4 30 700 1540 17.8
電圧 電圧 3000V.DC;電圧 750Vac;電圧 4500V
静電容量(uF) 長さ(mm±1) T (mm±1) 高さ(mm±1) φd(mm) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) イプク(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0.047 44 13.5 21.5 1 22 20 2000 94 8.5
0.068 44 17 25 1 20 20 1800 122.4 10.5
0.1 44 20.5 28.5 1.2 18 20 1500 150 12.4
0.15 44 26 34 1.2 16 22 1350 202.5 13.8
0.22 44 29 41.5 1.2 14.5 22 1200 264 14.5

ビデオ


製品詳細写真:

PCBコンデンサの再生可能設計 - 高電圧、高電流、高パルス用途で使用されるポリプロピレンスナバコンデンサ - CRE詳細写真

PCBコンデンサの再生可能設計 - 高電圧、高電流、高パルス用途で使用されるポリプロピレンスナバコンデンサ - CRE詳細写真

PCBコンデンサの再生可能設計 - 高電圧、高電流、高パルス用途で使用されるポリプロピレンスナバコンデンサ - CRE詳細写真

PCBコンデンサの再生可能設計 - 高電圧、高電流、高パルス用途で使用されるポリプロピレンスナバコンデンサ - CRE詳細写真


関連製品ガイド:

弊社は、現在の製品の品質とサービスを統合・向上させることに注力すると同時に、PCBコンデンサ向け再生可能設計 - 高電圧、高電流、高パルス用途向けポリプロピレンスナバコンデンサ - CRE に対するお客様の独自の需要を満たす新製品を継続的に生産していきます。製品は、サウジアラビア、ウガンダ、チェコなど世界中に供給されます。弊社は、プロフェッショナルなサービス、迅速な対応、タイムリーな納品、優れた品質、最良の価格をお客様に提供しています。お客様一人ひとりの満足と良好な信用が弊社の最優先事項です。安全で健全な製品を良好な物流サービスと経済的なコストで受け取るまで、お客様の注文処理のあらゆる詳細に焦点を当てています。これのおかげで、弊社の製品はアフリカ、中東、東南アジアの国々で非常によく売れています。弊社は、「顧客第一、前進」のビジネス哲学を堅持し、国内外のお客様との協力を心から歓迎いたします。
  • 製品とサービスは非常に優れており、私たちのリーダーはこの調達に非常に満足しており、予想よりも優れています。 5つ星 トリノ出身のAdaさん - 2017.04.18 16:45
    この会社は市場の要求に適合し、高品質の製品で市場競争に参加しており、中国精神を持った企業です。 5つ星 ジョン・ビドルストーン(UAE) - 2017年8月16日 13:39

    メッセージをお送りください:

    ここにメッセージを書いて送信してください

    メッセージをお送りください: