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高効率共振スイッチトキャパシタ

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簡単な説明：

RMJ-MT シリーズ コンデンサは、高電力共振回路用に設計されており、ポリプロピレン フィルムの低損失誘電体を使用しています。

これは、理想的な低電圧、高周波、AC 共振コンデンサ ソリューションです。


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製品の詳細

製品タグ

技術データ

使用温度範囲 最高使用温度、最高、最高: +90℃ 上位カテゴリー温度: +85℃ 下位カテゴリー温度: -40℃
静電容量範囲 1μF～8μF
定格電圧 1200V.DC～4000V.DC
キャップトル ±5%(J) ;±10%(K)
耐電圧 1.5Un/10S
誘電正接 tgδ≦0.001 f=1KHz
絶縁抵抗 RS*C≧5000S(20℃100V.DC60Sにて)
平均寿命 100000h(Un; Θホットスポット≤85°C)
参考規格 IEC 61071 ;IEC 60110

特徴

1. マイラーテープパッケージ、樹脂封止、軽量化。
2.銅ナットリード、小型、簡単な取り付け;
3. 低い ESL と ESR;
4. 高パルス電流。
5. 高周波電流容量。

応用

1. 直列/並列共振回路のパワーエレクトロニクス機器に広く使用されています。

2. 溶接、電源、誘導加熱装置の共振時。

外形図

 

1

電圧 Un 1200V.DC Urms 500V.AC Uppeak 710V
Cn(μF) φD(mm) 長さ(mm) ESR@100KHz (mΩ)) ESL(nH) dv/dt(V/μS) IPK(A) Irms(40℃ @100KHz) Qn（kVar）
1 38 40 4.8 27 900 900 35 15.8
1.5 46 40 3.2 25 800 1200 45 20.3
2 53 40 2.4 25 750 1500 50 22.5
2 38 47 2.4 28 720 1440 33 14.9
3 64 40 1.6 23 680 2040年 60 27.0
3 45 47 2.1 27 620 1860年 40 18.0
4 52 47 1.6 26 550 2200 45 20.3
5 58 47 1.3 25 500 2500 53 23.9
6 63 47 1.1 23 450 2700 58 26.1
7 68 47 0.9 22 450 3150 60 27.0
8 73 47 0.8 20 400 3200 65 29.3

 

電圧 Un 2000V.DC Urms 750V.AC 最大 1050V
Cn(μF) φD(mm) 長さ(mm) ESR@100KHz (mΩ)) ESL(nH) dv/dt(V/μS) IPK(A) Irms(40℃ @100KHz) Qn（kVar）
1 41 40 4.0 27 1100 1100 38 25.7
1.5 50 40 2.7 26 1000 1500 48 32.4
2 58 40 2.0 25 900 1800 55 37.1
2 49 60 2.0 26 850 1700 45 30.4
3 70 40 1.3 23 750 2250 65 43.9
3 59 60 1.9 25 650 1950年 55 37.1
4 81 40 1.4 22 600 2400 75 50.6
4 68 60 1.4 23 550 2200 62 41.9
5 76 60 1.1 22 500 2500 70 47.3
6 83 60 0.9 21 480 2880 75 50.6

 

電圧 Un 30000V.DC Urms 1200V.AC Uppeak 1700V
Cn(μF) φD(mm) 長さ(mm) ESR@100KHz (mΩ)) ESL(nH) dv/dt(V/μS) IPK(A) Irms(40℃ @100KHz) Qn（kVar）
0.33 43 44 7.2 26 1800 594 40 43.2
0.47 51 44 5.5 25 1700 799 48 51.8
0.5 53 44 4.8 25 1600 800 50 54.0
0.68 61 44 3.5 24 1500 1020 56 60.5
0.75 64 44 3.2 24 1400 1050 60 64.8
0.8 66 44 4.0 23 1350 1080 62 67.0
1 74 44 3.2 22 1300 1300 70 75.6
1.2 81 44 2.7 21 1250 1500 75 81.0
1.5 90 44 2.1 20 1200 1800 80 86.4

 

電圧 Un 4000V.DC Urms 1500V.AC 最大 2100V
Cn(μF) φD(mm) 長さ(mm) ESR@100KHz (mΩ)) ESL(nH) dv/dt(V/μS) IPK(A) Irms(40℃ @100KHz) Qn（kVar）
0.08 46 60 10.0 28 3000 240 40 51.0
0.1 51 60 8.0 27 2850 285 45 57.4
0.12 56 60 6.6 26 2750 330 50 63.8
0.15 63 60 8.5 25 2500 375 58 74.0
0.18 64 60 7.1 25 2400 432 60 76.5
0.25 80 60 5.1 23 2200 550 75 95.6
0.33 52 60 3.9 23 2000年 660 48 61.2
0.47 62 60 5.1 22 1800 846 58 74.0
0.5 64 60 4.8 22 1700 850 60 76.5
0.68 75 60 3.5 20 1600 1088 70 89.3
0.75 78 60 3.2 20 1500 1125 72 91.8
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