IGBT用スナバコンデンサ製造工場 - ポリプロピレンフィルムの低損失誘電体IGBTアプリケーション用スナバコンデンサ - CRE

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Igbt 用スナバーコンデンサー製造工場 - ポリプロピレンフィルムの低損失誘電体 IGBT アプリケーション用スナバーコンデンサー - CRE 詳細:

SMJ-Pシリーズ

定格電圧範囲: 1000 VDC ～ 2000 VDC
静電容量範囲: 0.1 uf ～ 3.0 uf
取付ピッチ：22.5mm～48mm
構造 : メタライズドポリプロピレン誘電体内部直列接続
用途 : IGBT 保護、共振タンク回路

自己修復型の乾式スナバコンデンサ素子は、特別な形状の波形カットされたメタライズド PP フィルムを使用して製造されており、低い自己インダクタンス、高い破壊抵抗、および高い信頼性を保証します。過圧の切断は必要ないと考えられます。コンデンサの上部は自己消火性の環境に優しいエポキシで封止されています。特別な設計により、非常に低い自己インダクタンスが保証されます。

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仕様表

電圧	Un 700V.DC、Urms400Vac;Us1050V
	寸法（mm）
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	IPK(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496年	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33

電圧	Un 1000V.DC、Urms500Vac;Us1500V
	寸法（mm）
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	IPK(A)	イルムス
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815年	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750年	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000年	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974年	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32

電圧	Un 1200V.DC、Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	IPK(A)	イルムス
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750年	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815年	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750年	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974年	32

電圧	Un 1700V.DC、Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	IPK(A)	イルムス
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980年	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750年	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32

電圧	Un 2000V.DC、Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	IPK(A)	イルムス
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540年	32

電圧	Un 3000V.DC、Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	IPK(A)	イルムス
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000年	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28

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関連製品ガイド:

契約を遵守し、市場の要求に適合し、その優れた品質によって市場競争に参加するだけでなく、買い物客にはるかに包括的で優れた会社を提供し、大きな勝者に成長させます。企業の追求は間違いなく顧客です。 ' IGBT 用スナバーコンデンサーを製造する工場の満足度 - ポリプロピレンフィルムの低損失誘電体 IGBT アプリケーション用スナバーコンデンサー - CRE、製品はプロヴァンス、オスロ、エクアドルなど、世界中に供給されます。カタログを入手したり、アプリケーションのエンジニアリング支援を求めたりする場合は、調達要件について当社のカスタマーサービスセンターにご相談ください。当社は、お客様に合わせて高品質を競争力のある価格で提供します。

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