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IGBT用スナバコンデンサ製造工場 - IGBT用ポリプロピレンフィルムスナバコンデンサの低損失誘電体 - CRE

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革新、卓越性、信頼性は、当社の中核となる価値観です。これらの原則は、今日、これまで以上に、国際的に活動する中堅企業としての当社の成功の基盤となっています。自動車用DCリンクコンデンサ , 電力コンバータのDCリンクコンデンサ , 高電圧ポリプロピレンフィルムコンデンサ当社は品質と顧客満足を最優先に考え、厳格な品質管理体制を敷いています。社内には試験施設を備え、様々な加工工程においてあらゆる側面から製品を試験しています。最新技術を駆使し、お客様のニーズに合わせた生産設備をご提供いたします。
IGBT用スナバコンデンサ製造工場 - ポリプロピレンフィルムの低損失誘電体IGBT用スナバコンデンサ - CRE詳細:

SMJ-Pシリーズ

定格電圧範囲: 1000 VDC ~ 2000 VDC
静電容量範囲: 0.1 uf ~ 3.0 uf
取り付けピッチ:22.5mm~48mm
構造:メタライズドポリプロピレン誘電体内部直列接続
用途: IGBT保護、共振タンク回路

自己修復型乾式スナバコンデンサ素子は、特殊形状の波形カットメタライズPPフィルムを用いて製造されており、低い自己インダクタンス、高い耐破裂性、そして高い信頼性を実現しています。過圧による遮断は不要です。コンデンサ上部は自己消火性の環境に優しいエポキシ樹脂で封止されています。特殊設計により、極めて低い自己インダクタンスを実現しています。

画像_0397.HEIC

仕様表

電圧 電圧700V.DC、電圧400Vac、電圧1050V
寸法(mm)
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) イプク(A) Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47 42.5 24.5 27.5 12 25 500 235 8
0.68 42.5 24.5 27.5 10 25 480 326.4 10
1 42.5 24.5 27.5 8 24 450 450 12
1.5 42.5 33.5 35.5 7 25 430 645 5
2 42.5 33 35.5 6 24 420 840 15
2.5 42.5 33 45 6 23 400 1000 18
3 42.5 33 45 5.5 22 380 1140 20
3 57.5 30 45 5 26 350 1050 22
3.5 42.5 33 45 5 23 350 1225 25
3.5 57.5 30 45 6 25 300 1050 22
4.7 57.5 35 50 5 28 280 1316 25
5.6 57.5 38 54 4 30 250 1400 25
6 57.5 38 54 3.5 33 230 1380 28
6.8 57.5 42.5 56 3.2 32 220 1496 32
8 57.5 42.5 56 2.8 30 200 1600 33
電圧 1000VDC、500Vac、1500V
寸法(mm)
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) イプク(A) イルムス
0.47 42.5 24.5 27.5 11 25 1000 470 10
0.68 42.5 24.5 27.5 8 25 800 544 12
1 42.5 33.5 35.5 6 24 800 800 15
1.5 42.5 33 45 6 24 700 1050 15
2 42.5 33 45 5 22 700 1400 20
2.5 57.5 30 45 5 30 600 1500 22
3 57.5 35 50 4 30 600 1800 25
3.3 57.5 35 50 3.5 28 550 1815 25
3.5 57.5 38 54 3.5 28 500 1750 25
4 57.5 38 54 3.2 26 500 2000 28
4.7 57.5 42.5 56 3 25 420 1974 30
5.6 57.5 42.5 56 2.8 24 400 2240 32
電圧 1200V.DC(電圧550Vac)、1800V(電圧)
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) イプク(A) イルムス
0.47 42.5 24.5 27.5 11 24 1200 564 10
0.68 42.5 33.5 35.5 7 23 1100 748 12
1 42.5 33.5 35.5 6 22 800 800 14
1.5 42.5 33 45 5 20 800 1200 15
2 57.5 30 45 4 30 750 1500 20
2.5 57.5 35 50 4 28 700 1750 25
3 57.5 35 50 4 27 600 1800 25
3.3 57.5 38 54 4 27 550 1815 28
3.5 57.5 38 54 3.5 25 500 1750 28
4 57.5 42.5 56 3.5 25 450 1800 30
4.7 57.5 42.5 56 3.2 23 420 1974 32
電圧 1700V.DC(電圧575Vac)、2250V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) イプク(A) イルムス
0.33 42.5 24.5 27.5 12 25 1300 429 9
0.47 42.5 24.5 27.5 10 24 1300 611 10
0.68 42.5 33.5 35.5 8 23 1300 884 12
1 42.5 33 45 7 22 1200 1200 15
1.5 42.5 33 45 6 22 1200 1800 18
1.5 57.5 30 45 5 31 1200 1800 20
2 57.5 30 45 5 30 1100 2200 22
2.5 57.5 35 50 4 28 1100 2750 25
3 57.5 38 54 4 27 700 2100 25
3.3 57.5 38 54 3.8 26 600 1980 28
3.5 57.5 42.5 56 3.5 25 500 1750 30
4 57.5 42.5 56 3.2 25 450 1800 32
電圧 電圧2000V.DC、電圧700Vac、電圧3000V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) イプク(A) イルムス
0.22 42.5 24.5 27.5 15 25 1500 330 10
0.33 42.5 33.5 35.5 12 24 1500 495 12
0.47 42.5 33.5 35.5 11 23 1400 658 15
0.68 42.5 33 45 8 22 1200 816 18
0.68 57.5 30 45 7 30 1100 748 20
0.82 42.5 33 45 7 28 1200 984 22
1 57.5 30 45 6 28 1100 1100 25
1.5 57.5 35 50 5 25 1000 1500 28
2 57.5 38 54 5 24 800 1600 28
2.2 57.5 42.5 56 4 23 700 1540 32
電圧 電圧 3000V.DC、電圧 750Vac、電圧 4500V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) イプク(A) イルムス
0.15 42.5 33 45 18 28 2500 375 25
0.22 42.5 33 45 15 27 2200 484 28
0.22 57.5 35 50 15 25 2000 330 20
0.33 57.5 35 50 12 24 1800 495 20
0.47 57.5 38 54 11 23 1600 752 22
0.68 57.5 42.5 56 8 22 1500 1020 28

製品詳細写真:

IGBT用スナバコンデンサ製造工場 - IGBT用ポリプロピレンフィルムスナバコンデンサの低損失誘電体 - CRE詳細写真

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関連製品ガイド:

当社は「顧客重視、品質重視、統合型、革新」を目標としています。「真実と誠実さ」は、IGBT用スナバコンデンサ(IGBT用ポリプロピレンフィルム低損失誘電体スナバコンデンサ - CRE)を製造する工場における経営理念です。製品はガーナ、ハイチ、ブラジリアなど世界各国に供給されます。当社の製品は広くユーザーに認められ、信頼されており、絶えず変化する経済・社会のニーズに応えることができます。あらゆる分野の新規および既存のお客様からのご連絡をお待ちしております。将来のビジネス関係の構築と相互の成功を目指します。
  • 製品の品質は良好で、品質保証システムが完備しており、すべてのリンクで問い合わせて問題をタイムリーに解決できます。 5つ星 オマーンのヤニック・ヴェルゴズ - 2017年9月28日 18:29
    相互利益のビジネス原則を順守することで、私たちは満足のいく成功した取引を実現し、最高のビジネス パートナーになれると考えています。 5つ星 カイロのゲイル - 2018年11月11日 19:52

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