中国卸売高性能ACフィルタリングコンデンサ - アキシャルGTOスナバコンデンサ - CRE

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当社は、堅固な技術力に頼り、お客様のニーズを満たすために常に洗練された技術を生み出しています。高電圧パワーエレクトロニクスコンデンサ , 低電力損失誘導加熱コンデンサ , 電力品質と信頼性を向上させるACコンデンサつまり、私たちを選ぶということは、完璧な人生を選ぶということです。ぜひ工場見学とご注文をお待ちしております！ご質問等ございましたら、お気軽にお問い合わせください。

中国卸売高性能ACフィルタリングコンデンサ - アキシャルGTOスナバコンデンサ - CRE詳細：

技術データ

動作温度範囲	最大動作温度：+ 85℃、カテゴリ上限温度：+ 85℃、カテゴリ下限温度：-40℃
静電容量範囲	0.1μF～5.6μF
定格電圧	630V.DC～2000V.DC
キャップ・トール	±5%(J)、±10%(K)
耐電圧	1.5Un DC/10S
散逸係数	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
絶縁抵抗	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ（20℃ 100V.DC 60S時） C＞0.33μF RS*C≧5000S（20℃ 100V.DC 60S時）
雷撃電流に耐える
平均寿命	100000h(Un; Θホットスポット≤85°C)
参照標準	IEC 61071;IEC 61881;GB/T17702

応用

1. IGBTスナバ。

2. ピーク電圧、ピーク電流吸収保護時のパワーエレクトロニクス機器に広く使用されています。

外形図

SMJ-TE アキシャルコンデンサ
電圧		非630V.DC;非400Vac;非945V

静電容量(uF)	長さ（mm±1）	T (mm±1)	高さ（mm±1）	φd（mm）	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	イプク(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.22	32	9.5	17.5	0.8	16	23	300	66	5.3
0.33	32	12	20	1	13	22	200	66	6.5
0.47	32	14.5	22.5	1	11	21	220	103.4	8.3
0.68	32	18	26	1	10	20	180	122.4	9.5
1	37	11	19	1	8	28	150	150	7.6
1.5	37	13.5	21.5	1	7	27	150	225	9.5
2	37	16	24	1.2	6	24	130	260	10.2
2.5	37	18	26	1.2	5.5	25	120	300	10.5
3	37	20	28	1.2	5	30	110	330	10.8
3.3	37	21	29	1.2	4.5	30	110	363	11.2
4	57	27	36.5	1.2	4.2	32	220	880	12.8
4.7	57	28	40.5	1.2	3.8	32	200	940	13.8
5.6	57	31	33.5	1.2	3.5	32	185	1036	13.5
6.8	37	29	41.5	1.2	2.5	28	100	680	13.8
6.8	57	34	46.5	1.2	2.8	30	180	1224	14.2

電圧			1000V.DC（非絶縁）、500Vac（非絶縁）、1500V（非絶縁）
静電容量(uF)	長さ（mm±1）	T (mm±1)	高さ（mm±1）	φd（mm）	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	イプク(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.15	32	10	17.5	0.8	20	20	1100	165	5.5
0.22	32	12	20	1	15	21	1000	220	7.3
0.33	32	15.5	23	1	13	21	1000	330	8.7
0.47	32	18.5	26	1.2	10	23	1000	470	10.5
0.47	44	14	22	1.2	9	24	900	423	9.5
0.68	32	20	32.5	1.2	7	25	900	612	10.8
0.68	44	17	25	1.2	6	26	800	544	10.2
1	44	21.5	29.5	1.2	5.6	27	900	900	11
1.5	44	26	35.5	1.2	5	29	900	1350	12
1.5	57	21	29	1.2	5	30	700	1050	12.2
2	44	28	40.5	1.2	4.8	30	800	1600	13.2
2	57	24	33.5	1.2	4.8	32	600	1200	12.8
2.2	44	30	42.5	1.2	4.2	32	600	1320	13.8
2.2	57	25	34.5	1.2	4.2	32	500	1100	13.5
2.5	57	25	38	1.2	4	33	500	1250	14.2
3	57	28	40.5	1.2	3.5	34	480	1440	15.6
3.3	57	29.5	42	1.2	3.2	35	450	1485	16.5
3.5	57	30.5	43	1.2	3.2	35	450	1575	17.2
4.7	57	35	50.5	1.2	3	36	420	1974	17.8
5.6	57	38.5	65	1.2	2.8	38	400	2240	18.2

電圧			1200V.DC（Un）、550Vac（Urms）、1800V（Us）
静電容量(uF)	長さ（mm±1）	T (mm±1)	高さ（mm±1）	φd（mm）	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	イプク(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.1	32	8.5	16	0.8	20	20	1300	130	6
0.15	32	10	17.5	1	18	20	1200	180	7.5
0.22	32	13	21	1	15	22	1200	264	8.3
0.33	32	16	24	1	12	23	1200	396	9
0.47	32	17.5	30	1.2	10	23	1200	564	9.5
0.47	44	15	23	1.2	9	26	1100	517	9.8
0.68	32	21.5	34	1.2	8	25	1100	517	10
0.68	44	18.5	26.5	1.2	6	27	1000	680	11.7
1	44	23	31	1.2	5	28	1000	1000	12.4
1.5	44	26.5	39	1.2	5	30	950	1425	13.5
1.5	57	22.5	30.5	1.2	5	29	900	1350	12.6
2	44	29	45	1.2	5	30	800	1600	14.2
2	57	26.5	34.5	1.2	4.8	30	750	1500	13.8
2.2	44	31	47	1.2	4.2	32	800	1760	14.5
2.2	57	27.5	35.5	1.2	4.2	35	700	1540	14.5
3	57	29	44.5	1.2	3.2	37	500	1500	17.2
3.3	57	30.5	46	1.2	3.2	38	450	1485	17.8
4.7	57	38	53.5	1.2	3	38	420	1974	18.2

電圧			1700V.DC（非絶縁）、600Vac（非絶縁）、2550V（非絶縁）
静電容量(uF)	長さ（mm±1）	T (mm±1)	高さ（mm±1）	φd（mm）	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	イプク(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.1	32	9.5	17.5	0.8	18	25	1300	130	7.5
0.15	32	12	20	1	16	24	1200	180	8.5
0.22	32	15	23	1	15	24	1200	264	9.3
0.33	32	18.5	26.5	1	12	22	1200	396	9.9
0.33	44	13.5	21.5	1.2	12	29	1100	363	10.2
0.47	44	16	24	1.2	9	28	1000	470	11.2
0.68	44	20	28	1.2	8	27	1000	680	11.7
1	44	24	33.5	1.2	5.6	26	900	900	12.4
1	57	19.5	27.5	1.2	6	33	850	850	10.8
1.5	44	28	40.5	1.2	4.8	25	800	1200	13.5
1.5	57	24	32	1.2	5	33	750	1125	13.5
2	44	31.5	47	1.2	4.5	24	750	1500	14.2
2	57	27.5	37	1.2	4.8	32	650	1300	12.8
2.2	44	33.5	49	1.2	4.5	34	700	1540	15.6
2.2	57	29	40	1.2	4.2	32	600	1320	14.5
3	57	31	46.5	1.2	4	30	560	1680	17.2
3.3	57	33	48.5	1.2	3.2	29	500	1650	17.6
4	57	37	52.5	1.2	3	28	450	1800	18.2

電圧			2000V.DC（Un）、700Vac（Urms）、3000V（Us）
静電容量(uF)	長さ（mm±1）	T (mm±1)	高さ（mm±1）	φd（mm）	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	イプク(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.068	32	9	17	0.8	25	23	1500	102	6.9
0.1	32	11.5	19.5	1	18	22	1500	150	8.2
0.1	37	10.5	18.5	1	18	26	1450	145	8
0.22	32	17.5	25.5	1.2	15	21	1400	308	9.1
0.22	37	16	24	1.2	15	25	1300	286	9
0.33	37	20	28	1.2	12	24	1250	412.5	9.5
0.33	44	18	26	1.2	12	30	1200	396	10.2
0.47	44	19.5	32	1.2	10	29	1100	517	12.4
0.68	44	24	36.5	1.2	8	28	1000	680	14.2
0.68	57	18.5	31	1.2	8	27	900	612	14.2
1	57	23.5	36	1.2	6	31	950	950	14.5
1.5	57	29.5	42	1.2	5	31	850	1275	14.5
2	57	33	48.5	1.2	4.2	31	750	1500	16.5
2.2	57	35	50.5	1.2	4	30	700	1540	17.8

電圧			電圧 3000V.DC;電圧 750Vac;電圧 4500V
静電容量(uF)	長さ（mm±1）	T (mm±1)	高さ（mm±1）	φd（mm）	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	イプク(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.047	44	13.5	21.5	1	22	20	2000	94	8.5
0.068	44	17	25	1	20	20	1800	122.4	10.5
0.1	44	20.5	28.5	1.2	18	20	1500	150	12.4
0.15	44	26	34	1.2	16	22	1350	202.5	13.8
0.22	44	29	41.5	1.2	14.5	22	1200	264	14.5

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